标准包装 5,000

晶体管类型 NPN

- 集电极电流（Ic）（） 1A

电压 - 集电极发射极击穿（） 60V

Vce饱和（）@ IB，IC 500mV @ 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止（） -

直流电流增益（HFE）（值）@ IC，VCE 40 @ 150mA, 2V

功率 - 625mW

频率转换 200MHz

安装类型 Through Hole

包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装 TO-92-3

包装材料 Bulk

包装 3TO-92

类型 NPN

引脚数 3

集电极发射极电压 60 V

集电极直流电流 1 A

直流电流增益 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V

工作频率 200(Typ) MHz

集电极发射极饱和电压 0.5@50mA@500mA V

工作温度 -55 to 150 °C

功率耗散 625 mW

安装 Through Hole

标准包装 Bulk

集电极直流电流 1

欧盟RoHS指令 Compliant

工作温度 150

标准包装名称 TO-92

工作温度 -55

功率耗散 625

基地发射极电压 5

Maximum Transition Frequency 200(Typ)

封装 Bulk

每个芯片的元件数 1

集电极基极电压 60

供应商封装形式 TO-92

集电极发射极电压 60

铅形状 Through Hole

电流 - 集电极（ Ic）（） 1A

晶体管类型 NPN

安装类型 Through Hole

频率 - 转换 200MHz

下的Vce饱和度（） Ib，Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集电极发射极击穿（） 60V

供应商设备封装 TO-92-3

功率 - 625mW

封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

直流电流增益（ hFE）（值） Ic，Vce时 40 @ 150mA, 2V

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量 5000

集电极 - 发射极饱和电压 0.5 V

产品种类 Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性 NPN

发射极 - 基极电压VEBO 5 V

直流集电极/增益hfe值 25 at 5 mA at 2 V

增益带宽产品fT 200 MHz

集电极 - 发射极电压VCEO 60 V

安装风格 Through Hole

集电极 - 基极电压VCBO 60 V

工作温度 - 55 C

配置 Single

工作温度 + 150 C

RoHS RoHS Compliant

连续集电极电流 1:00 AM

集电极电流（ DC）（值） 1:00 AM

集电极 - 基极电压 60 V

集电极 - 发射极电压 60 V

发射极 - 基极电压 5 V

频率 200 MHz

功率耗散 0.625 W

工作温度范围 -55C to 150C

包装类型 TO-92

元件数 1

直流电流增益（值） 25

工作温度分类 Military

弧度硬化 No

直流电流增益 25

集电极电流（DC ） 1:00 AM