制造商:Toshiba产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-346-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:200 mARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs th-栅源极阈值电压:500 mVVgs - 栅极-源极电压:2.5 V工作温度:+ 150 C配置:SinglePd-功率耗散:200 mW通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 系列:2SK2009 晶体管类型:1 N-Channel 类型:RF Small Signal MOSFET 宽度:1.5 mm 商标:Toshiba CNHTS:8541210000 HTS Code:8541210095 MXHTS:85412101 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs TARIC:8541210000 典型关闭延迟时间:0.12 us 典型接通延迟时间:0.06 us 单位重量:12 mg